三星拟投400多亿扩大芯片产能 明年量产V-NAND闪存

CNMO 【原创】 作者:林雨晨 2020-06-01 16:32
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  【CNMO新闻】据外媒SAMMOBILE消息,三星计划扩大韩国的存储芯片产能。

  三星是存储器和存储芯片领域的全球领导者,该公司目前已宣布计划扩大其NAND闪存芯片的生产。自从疫情封锁以来,它已在平泽工厂投资2号流水线以扩大生产,来满足由计算机和服务器的不断增长带来的需求。新工厂的建设于上个月开始,三星表示V-NAND闪存芯片的批量生产将从2021年下半年开始。它表示,由于采用率的提高,未来的存储芯片将会用于5GAI人工智能)和IoT(物联网)。

三星计划扩大韩国的存储芯片产能(图源SAMMOBILE)
三星计划扩大韩国的存储芯片产能(图源SAMMOBILE)

  分析人士说,三星将为新工厂投资7万亿韩元至8万亿韩元(约合400多亿元人民币)。新生产线将满足NAND闪存芯片的中期和长期需求。随着数字生活方式的不断发展,该公司计划进行更多投资。三星的平泽厂区是世界上最大的两条内存生产线的所在地。

  三星电子存储器全球销售与营销执行副总裁Cheol Choi表示:“这项新投资兑现了我们的承诺,即使在艰难时期,我们也将保持在存储器技术领域的领先地位。我们将继续为市场提供最优化的解决方案,同时为整个IT行业和整个经济的增长做出贡献。”

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